ComBond-自動(dòng)化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng)應(yīng)用：高真空晶圓鍵合平臺(tái)促進(jìn)“任何物上的任何東西”的共價(jià)鍵合

一、簡(jiǎn)介
EVG ComBond高真空晶圓鍵合平臺(tái)（晶圓鍵合機(jī)）標(biāo)志著EVG*的晶圓鍵合設(shè)備和技術(shù)產(chǎn)品組合中的一個(gè)新里程碑，可滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)更復(fù)雜的集成工藝的需求。

EVG ComBond支持的應(yīng)用領(lǐng)域包括先進(jìn)的工程襯底，堆疊的太陽(yáng)能電池和功率器件到端MEMS封裝，高性能邏輯和“beyond CMOS”器件。EVG ComBond系統(tǒng)的模塊化集群設(shè)計(jì)提供了高度靈活的平臺(tái)，可以針對(duì)研發(fā)和高通量，大批量制造環(huán)境中的各種苛刻的客戶(hù)需求量身定制。

EVG ComBond（晶圓鍵合機(jī)）促進(jìn)了具有不同晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)（CTE）的異質(zhì)材料的鍵合，并通過(guò)其*的氧化物去除工藝促進(jìn)了導(dǎo)電鍵界面的形成。EVG ComBond（晶圓鍵合機(jī)）高真空技術(shù)還可以實(shí)現(xiàn)鋁等金屬的低溫鍵合，這些金屬在周?chē)h(huán)境中會(huì)迅速重新氧化。對(duì)于所有材料組合，都可以實(shí)現(xiàn)無(wú)空隙和無(wú)顆粒的鍵合界面以及出色的鍵合強(qiáng)度。

ComBond-自動(dòng)化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng)特征
高真空，對(duì)準(zhǔn)，共價(jià)鍵合
在高真空環(huán)境（<5·10 -8 mbar）中進(jìn)行處理
原位亞微米面對(duì)面對(duì)準(zhǔn)精度
高真空MEMS和光學(xué)器件封裝原位表面和原生氧化物去除
優(yōu)異的表面性能
導(dǎo)電鍵合
室溫過(guò)程
多種材料組合，包括金屬（鋁）
無(wú)應(yīng)力鍵合界面
高鍵合強(qiáng)度
用于HVM和R＆D的模塊化系統(tǒng) 
多達(dá)六個(gè)模塊的靈活配置
基板尺寸大為200毫米
*自動(dòng)化

三、技術(shù)數(shù)據(jù)
真空度
       處理：<7E-8 mbar
       處理：<5E-8毫巴

集群配置
       處理模塊：小3個(gè)，大6個(gè)
       加載：手動(dòng)，卡帶，EFEM

可選的過(guò)程模塊：
       （晶圓鍵合機(jī)）鍵合模塊
         ComBond 激活模塊（CAM）
       （晶圓鍵合機(jī)）烘烤模塊
         真空對(duì)準(zhǔn)模塊（VAM）

晶圓直徑：高達(dá)200毫米