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光刻機(jī)在技術(shù)上主要分以下4個(gè)類型

更新時(shí)間:2023-01-06  |  點(diǎn)擊率:2270
  光刻機(jī)就是把芯片制作所需要的線路與功能區(qū)做出來。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光,光刻膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化,從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上,從而使薄片具有電子線路圖的作用。
 
  這就是光刻機(jī)的作用,類似照相機(jī)照相。照相機(jī)拍攝的照片是印在底片上,而光刻刻的不是照片,而是電路圖和其他電子元件。
 
  光刻機(jī)技術(shù)是一種精密的微細(xì)加工技術(shù)。常規(guī)光刻技術(shù)是采用波長為2000~4500埃的紫外光作為圖像信息載體,以光致抗光刻技術(shù)蝕劑為中間媒介實(shí)現(xiàn)圖形的變換、轉(zhuǎn)移和處理,然后把圖像信息傳遞到晶片或介質(zhì)層上的一種工藝。
 
  光刻機(jī)的技術(shù)分類:
  1、光學(xué)光刻:
  在光學(xué)光刻中,光致抗蝕劑通過光掩模用紫外光曝光。此方法可以圖案化多種功能,但分辨率有限。為了獲得更高的分辨率,使用了較短波長的光(G線435.8nm,H線404.7nm,I線265.4nm)。我們有這個(gè)光學(xué)光刻系統(tǒng);
  接觸光刻:利用我們提供的系統(tǒng),最小特征約為0.8μm,蕞小對準(zhǔn)公差約為0.5μm。
  2、電子束光刻:
  代替在光學(xué)光刻中使用光源,電子束(電子束)光刻利用電子束在樣品上生成圖案。由于波長短得多,因此我們可以實(shí)現(xiàn)更高的分辨率;但是,由于它是單個(gè)電子束寫入樣品,因此在樣品上生成圖案所需的時(shí)間更長。使用標(biāo)準(zhǔn)抗蝕劑,電子束工具可以實(shí)現(xiàn)蕞小7 nm的特征以及1nm的對準(zhǔn)公差。這是直接寫技術(shù)。
  3、軟光刻:
  這將使用預(yù)先生成的模具作為基礎(chǔ)來創(chuàng)建三維結(jié)構(gòu)。將諸如聚二甲基硅氧烷(PDMS)之類的軟材料倒入模具中并固化。當(dāng)它從表面剝離時(shí),它保持了陰模的狀態(tài)。PDMS材料通常附著到另一層,例如玻璃或另一層PDMS。軟光刻通常與較大的特征器件相關(guān)聯(lián)。具有20至5000 μm范圍內(nèi)的特征的微流體系統(tǒng)通常是使用軟光刻技術(shù)生產(chǎn)的。另外,我們的用戶通過稱為納米壓印光刻的技術(shù)使用該技術(shù)來生產(chǎn)納米結(jié)構(gòu)。
  4、直接光刻:
  如果圖案僅將被使用一次,則直接產(chǎn)生比在模板上產(chǎn)生用于在樣品上產(chǎn)生圖案的掩模更為經(jīng)濟(jì)。直接寫入用于創(chuàng)建光刻掩模,還可以用于生成不同的高度或灰度特征。我們可以使用設(shè)備進(jìn)行直接光刻印刷。
  無掩模光刻:使用我們的無掩模光刻系統(tǒng),我們可以實(shí)現(xiàn)蕞小2μm的特征和0.5μm的對準(zhǔn)公差。
 

 

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